| 摘要 |
반사 금속층을 감싸는 도전성 장벽층이 보호 절연막에 의해 정의되는 발광 다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 형성된 발광 구조체 상에 반사 금속층 및 도전성 장벽층을 포함하는 반사 패턴이 형성된다. 도전성 장벽층은 반사 금속층의 확산을 방지하되, 제조과정에서 오버행 구조의 포토레지스트 패턴 하부에 리세스되어 형성된 보호 절연막까지 신장되어 형성된다. 따라서, 오버행 구조의 측벽에 접하여 형성되어 반사 금속층이 첨두를 형성하는 현상은 방지된다. 이를 통해 다양한 형태의 발광 다이오드 모듈을 형성할 수 있다. |
