发明名称 |
均匀发光LED |
摘要 |
本发明涉及一种均匀发光LED,它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极,所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应,所述的ITO层的厚度从中心向外侧逐渐增高。本发明提供了本发明的目的是解决现有技术中LED芯片发光不均匀的技术问题,提供一种在发光面积内均匀出光的LED芯片。 |
申请公布号 |
CN103872205B |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201110458472.8 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
聚灿光电科技股份有限公司 |
发明人 |
魏臻 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 |
代理人 |
杨林洁 |
主权项 |
一种均匀发光 LED,它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的 CBL 层、覆盖于所述的基底与 CBL 层上的 ITO 层、以及位于所述的 ITO 层上的金属电极,所述的 CBL 层与金属电极在垂直方向上相对应,其特征在于 :所述的 ITO 层的厚度从中心向外侧逐渐增高,所述ITO层上方设有凹陷设置的大于金属电极宽度的金属电极收容区,所述ITO层具有位于CBL层正上方的第一厚度、位于CBL层旁侧的第二厚度、以及远离所述CBL层的第三厚度,第一厚度、第二厚度及第三厚度呈阶梯状逐渐增高。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 |