一种高亮度LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种高亮度LED芯片的制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)版图设计时将P‑SiO₂开孔取消；(2)版图设计时在MESA光罩上加入ITO开孔，其孔小于原ITO开孔，为ITO过腐蚀工艺留余度，保证ITO过腐蚀后其孔大小与原来一致；(3)调整CB层生长工艺及厚度，保证MESA刻蚀后能有效保护P‑GaN不受损；(4)调整CB层湿法腐蚀速率，保证在第三道光刻时被腐蚀干净，最终外观形貌与四道光刻一致。本发明将包含CB层的高亮度芯片工艺缩减一道光刻，且芯片结构不变，PN‑PAD仍部分与GaN接触，保证电性及外观不变的情况下，保持电极的牢固性及可靠性，降低芯片制备成本及提升生产效率。

主权项

一种高亮度LED芯片的制备方法，其特征在于：其LED芯片包括：GaN层，GaN层上设有CB层，CB层上在MESA光罩上加入ITO开孔，GaN层上设有PN‑PAD层和SiO₂层，其制备方法包括以下步骤：(1)版图设计时将P‑SiO₂开孔取消；(2)版图设计时在MESA光罩上加入ITO开孔，其孔小于原ITO开孔，为ITO过腐蚀工艺留余度，保证ITO过腐蚀后其孔大小与原来一致；(3)调整CB层生长工艺及厚度，保证MESA刻蚀后能有效保护P‑GaN不受损；(4)调整CB层湿法腐蚀速率，保证在第三道光刻时被腐蚀干净，最终外观形貌与四道光刻一致。