发明名称 一种静电保护结构
摘要 本发明公开了一种静电保护结构,设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间,包括:外延层;两个第一阱区,位于所述外延层的表层;所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区,共两个第二阱区;所述两个第二阱区分别与所述两个极接触;所述两个极之间设置有隔离氧化层,以在隔离所述两个极的同时,保护所述静电保护结构的表面;其中,所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型;所述两个第一阱区为第二掺杂类型。本发明提供的结构,用以解决现有技术中的ESD保护结构,存在的只具有单向阻断能力,不适用于功率器件的技术问题。提供了一种具有双向ESD防护能力,且与大部分功率器件制造工艺兼容的ESD保护结构。
申请公布号 CN106024762A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610566061.3 申请日期 2016.07.18
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 孙博韬;王立新;张彦飞
分类号 H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/60(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 房德权
主权项 一种静电保护结构,其特征在于,所述静电保护结构设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间,所述静电保护结构包括:外延层;两个第一阱区,位于所述外延层的表层;所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区,共两个第二阱区;所述两个第二阱区分别与所述两个极接触;所述两个极之间设置有隔离氧化层,以在隔离所述两个极的同时,保护所述静电保护结构的表面;其中,所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型;所述两个第一阱区为第二掺杂类型。
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