发明名称 | 一种静电保护结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种静电保护结构,设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间,包括:外延层;两个第一阱区,位于所述外延层的表层;所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区,共两个第二阱区;所述两个第二阱区分别与所述两个极接触;所述两个极之间设置有隔离氧化层,以在隔离所述两个极的同时,保护所述静电保护结构的表面;其中,所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型;所述两个第一阱区为第二掺杂类型。本发明提供的结构,用以解决现有技术中的ESD保护结构,存在的只具有单向阻断能力,不适用于功率器件的技术问题。提供了一种具有双向ESD防护能力,且与大部分功率器件制造工艺兼容的ESD保护结构。 | ||
申请公布号 | CN106024762A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
申请号 | CN201610566061.3 | 申请日期 | 2016.07.18 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙博韬;王立新;张彦飞 |
分类号 | H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 房德权 |
主权项 | 一种静电保护结构,其特征在于,所述静电保护结构设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间,所述静电保护结构包括:外延层;两个第一阱区,位于所述外延层的表层;所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区,共两个第二阱区;所述两个第二阱区分别与所述两个极接触;所述两个极之间设置有隔离氧化层,以在隔离所述两个极的同时,保护所述静电保护结构的表面;其中,所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型;所述两个第一阱区为第二掺杂类型。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |