| 发明名称 | 半导体装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法。其半导体装置包含基板，基板上包含第一源极/漏极构件及第二源极/漏极构件，半导体装置进一步包含第一纳米线于第一源极/漏极构件上及第二纳米线于第二第一源极/漏极构件上，其第一纳米线从第一源极/漏极构件的上表面垂直延伸而其第二纳米线从第二源极/漏极构件的上表面垂直延伸，半导体装置进一步包含第三纳米线从第一纳米线上端延伸至第二纳米线上端，其中第一纳米线、第二纳米线及第三纳米线间形成一通道，通道具有垂直和水平部分。纳米线可用以在环绕式栅极配置中形成场效应晶体管，其中栅极堆叠环绕通道以改善栅极控制。 | ||
| 申请公布号 | CN106024883A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510845080.5 | 申请日期 | 2015.11.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 雅利安阿弗萨蓝;布莱戴恩杜瑞兹;马克范达尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板，该基板具有一第一源极/漏极构件及一第一源极/漏极构件形成于其上；一第一纳米线于该第一源极/漏极构件上，该第一纳米线从该第一源极/漏极构件的上表面垂直延伸；一第二纳米线于该该第二源极/漏极构件上，该第二纳米线从该第一源极/漏极构件的上表面垂直延伸；及一第三纳米线从该第一纳米线的上端延伸至该第二纳米线的上端，其中该第一纳米线、该第二纳米线及该第三纳米线间形成一通道。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 | ||