制造III/V Si模板的方法

摘要

本发明涉及制造单片模板的方法，该模板包含Si晶片，在该Si晶片表面上外延施加有III/V半导体层，该III/V半导体的晶格常数与Si的相差小于10%，所述方法包括以下步骤：A)任选地，使Si晶片表面脱氧，B)任选地，在脱氧的Si晶片表面上外延生长Si层，C)任选地，对该Si晶片表面或该Si层表面进行烘烤步骤和/或蚀刻步骤，D)在350‑650℃的晶片温度下，在该Si晶片表面上或者在步骤A)‑C)之一的过程中所形成的表面上外延生长III/V半导体层，生长速率是0.1‑2μm/h，层厚是1‑100nm，E)在500‑800℃的晶片温度下，在步骤D)所获得的层上外延生长与步骤D)所施加的III/V半导体相同或者不同的III/V半导体层，生长速率是0.1‑10μm/h，层厚是10‑150nm。

主权项

一种制造单片模板的方法，所述模板包含Si晶片，在所述Si晶片表面上外延施加有III/V半导体层，所述III/V半导体的晶格常数与Si相差小于10%，所述方法包括以下步骤：在步骤B)中，在600‑1200℃的晶片温度，0.01‑20μm/h的生长速率和0‑5μm的层厚下，在Si晶片表面上外延生长Si层，该步骤B)是在步骤C)之前进行的，在步骤C)中，将活性含Cl的气体以0‑5μm/h的蚀刻速率在600‑1200℃的晶片温度下以0‑60min的时间导过所述Si层表面，该步骤C)是在步骤D)之前进行的，在步骤D)中， 在350‑650℃的晶片温度下，在所述Si层表面上外延生长III/V半导体层，生长速率是0.1‑2 μm/h，并且层厚是1‑100nm，在步骤D)后的步骤E)中，在500‑800℃的晶片温度，0.1‑10μm/h的生长速率和10‑150nm的层厚下，外延生长与步骤D)所生长的III/V半导体相同或者不同的III/V半导体层。