| 发明名称 | 一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，按如下步骤进行：(1)进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；(2)利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；(3)将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置。本发明温热处理下硅基微结构空腔位置变化规律研究方法，主要操作：在一定的温度环境下，对不同初始结构参数的硅材料进行热处理15min，探究硅基微结构空腔位置变化规律，从而达到控制硅基微结构空腔位置。 | ||
| 申请公布号 | CN106006542A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610390923.1 | 申请日期 | 2016.06.06 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 张俐楠;郑伟;陈超;吴立群;王洪成 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人 | 周希良 |
| 主权项 | 一种控制硅基微结构内部空腔形成位置的研究方法，其特征是按如下步骤进行：(1)进行温热处理硅基微结构成形研究的材料在一定温度环境中处理一段时间，使其变软；(2)利用离子刻蚀机制造出U型圆柱孔状的样本；(3)将上述过程得到的U型圆柱孔在一定温度下环境中进行热处理一段时间，得到硅基微结构空腔位置。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||