一种功率半导体器件的沟槽型终端结构

摘要

本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件的沟槽型终端结构。本发明的核心思想是采用剖面形状呈倒梯形的深槽，降低深槽刻蚀和介质填充的难度。同时，为了节省终端面积，在槽壁与水平面之间的夹角较大的情况下实现高耐压，在深槽内部特定位置引入固定电荷，利用这些固定电荷与漂移区电离杂质之间的库仑作用，使结终端处的PN结耗尽区充分展宽，缓解电场的集中，从而使终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在较小的面积下获得高击穿电压，同时降低了深槽刻蚀和介质填充的工艺难度。

主权项

一种功率半导体器件的沟槽型终端结构，该器件终端区包括P型重掺杂衬底(2)、位于P型半导体材料重掺杂衬底(2)上表面的P型轻掺杂漂移区(3)、位于P型半导体材料重掺杂衬底(2)下表面的金属漏电极(1)和位于P型轻掺杂漂移区(3)上表面的场氧化层(8)；所述P型轻掺杂漂移区(3)中具有沟槽(4)和P型重掺杂区(9)；所述P型重掺杂区(9)位于P型轻掺杂漂移区(3)上层远离器件有源区的一侧，且P型重掺杂区(9)的上表面与场氧化层(8)的下表面接触；所述沟槽(4)中填充有绝缘介质，且绝缘介质的上表面与场氧化层(8)的下表面接触，所述绝缘介质中具有多晶硅浮岛(5)，所述多晶硅浮岛(5)中存储有正电荷；所述沟槽(4)靠近器件有源区一侧的侧壁与器件有源区中的N型半导体主结(6)接触，同时多晶硅浮岛(5)的上表面结深大于器件有源区中的N型半导体主结(6)下表面的结深；所述沟槽(4)在器件的剖面图中呈倒梯形，且倒梯形的斜边与水平面的夹角θ的取值在60°到90°之间。