| 发明名称 | 一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子加工技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶片腐蚀液，是由硝酸、氢氟酸和冰乙酸按照体积比为4～14:4～14:6～18混合而成。将半导体硅晶片放置于盛有腐蚀液的密闭容器中，在低温条件下进行腐蚀。本发明通过调节硝酸和氢氟酸的不同的配比来应对不同的腐蚀需求。在低温条件下可以有效地控制半导体硅晶片的腐蚀速度和腐蚀深度以及腐蚀过后的硅晶片表面的洁净度。因为在低温环境下，腐蚀速率会低于常温环境，则更容易控制硅晶片腐蚀的均匀性。本发明组成简单，原料易得，成本较低，非常适用于半导体微电子的工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106024675A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610319777.3 | 申请日期 | 2016.05.13 |
| 申请人 | 江苏佑风微电子有限公司 | 发明人 | 郏金鹏;陈诚;王平;王峰;张各海;袁超;张凌鹓 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 何学成 |
| 主权项 | 一种半导体硅晶片腐蚀液，其特征在于，是由硝酸、氢氟酸和冰乙酸按照体积比为4～14:4～14:6～18混合而成，所述的硝酸的浓度为65～70％，所述的氢氟酸的浓度为45～55％，所述的冰乙酸的浓度为95～99％。 | ||
| 地址 | 213000 江苏省常州市新北区春江镇新华村新盛路2号 | ||