发明名称 |
一种具有电流阻挡层的LED外延片及其制造方法 |
摘要 |
一种具有电流阻挡层的LED外延片,其包括:衬底;在所述衬底上外延生长在所述衬底上的GaN外延层,利用干法刻蚀蚀刻出的第一电极放置区域,所述放置区域呈阶梯状;形成在所述GaN外延层的未被刻蚀区域上的电流阻挡层;所述电流阻挡层中均匀间隔有同心的ITO导电环,所述导电环的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平;沉积在所述电流阻挡层上的ITO电流拓展层。本发明利用同心导电环进行电流传输,防止电流在电极的中部的过度集中。 |
申请公布号 |
CN106025014A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610606427.5 |
申请日期 |
2016.07.29 |
申请人 |
王汉清 |
发明人 |
王汉清 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种具有电流阻挡层的LED外延片的制造方法,具体包括如下步骤:(1)提供一衬底,在所述衬底上生长GaN外延层,然后利用干法刻蚀蚀刻出第一电极放置区域,所述放置区域呈阶梯状;(2)在所述GaN外延层的未刻蚀区域形成一光刻胶层;(3)刻蚀所述光刻胶层,形成一系列的同心圆环,在同心圆环内填充ITO以形成导电环;(4)去除所述光刻胶层;在所述导电环的周围沉积SiO2和TiO2的叠层以形成电流阻挡层,抛光顶面使得所述导电环的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平;(5)在所述电流阻挡层上沉积一层ITO电流拓展层;减薄所述衬底,并在背面形成一层布拉格反射膜,以增强反射;到此完成LED外延片的制作。 |
地址 |
226300 江苏省南通市南通高新区世纪大道266号 |