| 发明名称 | 集成电路器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN106024715A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610177408.5 | 申请日期 | 2016.03.25 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑在烨;尹钟植;李化成;郑熙暾;柳齐民;车圭晚;尹钟密;金炫助 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;崔卿虎 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：衬底，其包括形成在衬底中的鳍式有源区，所述鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，所述鳍式有源区包括在其至少一个侧壁上的台阶部分；鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的台阶绝缘层，所述台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分；以及鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层，其中所述台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间，第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||