| 摘要 |
본 발명의 과제는 디바이스가 미세화나 복잡화되어도 원료 가스로서 염화텅스텐 가스를 이용한 ALD법에 의해, 양호한 밀착성을 갖는 텅스텐막을 양호한 매립성으로 성막하는 것이다. 해결 수단으로서, 염화텅스텐 가스 및 환원 가스를, 챔버 내의 퍼지를 사이에 두고 순차적으로 챔버 내에 공급하여 주 텅스텐막을 성막하는 주 텅스텐막 성막 공정과, 주 텅스텐막 성막 공정에 앞서, 염화텅스텐 가스의 공급량을 주 텅스텐막 성막 공정보다 적게 하여, 염화텅스텐 가스 및 환원 가스를 퍼지 가스의 공급을 사이에 두고 순차적으로, 또는 염화텅스텐 가스 및 환원 가스를 동시에 챔버 내에 공급하여, 하지막 위에 초기 텅스텐막을 성막하는 초기 텅스텐막 성막 공정을 갖는다. |
