| 摘要 |
본 발명은 분해되어 반도체 및 금속 산화물, 또는 보다 일반적으로, 전자 부품용 재료를 형성할 수 있는 전구체 재료에 관한 것이다. 전구체는 히드록사마토 리간드의 금속 착물을 포함한다. 본 발명은 또한 각종 금속 (예를 들어, Cu/In/Zn/Ga/Sn) 및 산소, 셀레늄 및/또는 황을 포함하는 얇은 무기 필름 제조 공정에 관한 것이다. 얇은 필름은 광전지 패널 (태양 전지), 기타 반도체 또는 전자 소자, 및 상기 필름을 사용한 기타 적용에서 사용될 수 있다. 공정에는 분자, 히드록사마토 리간드를 갖는 전구체 착물을 함유하는 금속이 사용된다. 전구체는 칼코게니드 공급원 또는 산소와 공정 중 조합될 수 있다. 예시로서, 각종 금속 산화물 및 I-III-VI유형의 구리계 황동광이 낮은 온도에서 높은 순도로 제조된다. |
