VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER VERBINDUNGSSTRUKTUR FÜR EINE HALBLEITERVORRICHTUNG

摘要

Verfahren zur Halbleiterherstellung, das Folgendes umfasst: Bereitstellen (102) eines Substrats (302), das mehrere Gräben (312) aufweist, die in einer dielektrischen Schicht (304) angeordnet sind, die über dem Substrat (302) ausgebildet ist; Definieren (104) einer Durchkontaktierungs-Struktur (502, 506) über dem Substrat, wobei die Durchkontaktierungs-Struktur Öffnungen (502, 602) aufweist; Ausbilden (106) einer Abstandhalter-Material-Schicht (902) auf der Durchkontaktierungs-Struktur (502, 506) und auf einer Seitenwand von mindestens einem der mehreren Gräben (312) nach dem Definieren der Öffnungen der Durchkontaktierungs-Struktur (502, 506); und Ätzen (108) von Durchkontaktierungs-Löchern (1102) in die dielektrische Schicht (304) mittels der Durchkontaktierungs-Struktur (502, 506) und der Abstandhalter-Material-Schicht (902) als Maskierungselemente.