发明名称 Image sensor and method of manufacturing the same
摘要 본 발명은 기판 상에 형성된 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 제1절연막과; 상기 제1절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하고, 상기 산화물반도체층은, 상기 게이트전극에 의해 가려지는 자외선 비조사 부분과, 상기 게이트전극에 의해 가려지지 않는 자외선 조사 부분으로 구성된 이미지센서를 제공한다.
申请公布号 KR20160114767(A) 申请公布日期 2016.10.06
申请号 KR20150040680 申请日期 2015.03.24
申请人 RAYENCE CO., LTD.;IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 发明人 KIM, MYEONG HO;JUN, SEUNG IK;CHOI, DEOK GYUN;CHOI, HYEONG SEOK;JANG, HAN BIN
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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