一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、电流扩展层、应力释放层、掺杂有Si的插入层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，插入层每一周期包括Al_xGa_1‑xN层和Al_yGa_1‑yN层，Al_xGa_1‑xN层Si的掺杂浓度为C1，Al_yGa_1‑yN层Si的掺杂浓度为C2，插入层各层中最靠近多量子阱层的Al_yGa_1‑yN层Si的掺杂浓度最高，最靠近多量子阱层的Al_yGa_1‑yN层Si的掺杂浓度不低于量子垒层Si的掺杂浓度，且不高于电流扩展层Si的掺杂浓度，同一周期中，C1<C2。本发明通过上述方案提高了外延片抗静电能力。

主权项

一种GaN基发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底、以及在所述衬底上向上生长的缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、掺杂有Si的电流扩展层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，所述多量子阱层包括若干个掺杂有Si的量子垒层和若干个与所述量子垒层交替生长的量子阱层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述应力释放层与所述多量子阱层之间的掺杂有Si的插入层，所述插入层的生长温度不高于所述量子垒层的生长温度，所述插入层为周期结构，每一周期包括Al_xGa_1‑xN层和Al_yGa_1‑yN层，所述Al_xGa_1‑xN层的Si的掺杂浓度为C1，所述Al_yGa_1‑yN层的Si的掺杂浓度为C2，所述插入层各层中最靠近所述多量子阱层的Al_yGa_1‑yN层中Si的掺杂浓度最高，所述最靠近所述多量子阱层的Al_yGa_1‑yN层中Si的掺杂浓度不低于所述量子垒层中Si的掺杂浓度，且不高于所述电流扩展层中Si的掺杂浓度，其中，0≤x＜1，0≤y＜1，0≤C1，0<C2，在同一周期中，C1<C2。