| 发明名称 | 分离的三维纵向存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种分离3D-M<sub>V</sub> 50，它含有至少一三维阵列芯片30和至少一电压产生芯片40。三维阵列芯片30含有多个竖直存储串16X、16Y。至少一电压产生器组件位于电压产生芯片40内，而非三维阵列芯片30内。三维阵列芯片30和电压产生芯片40具有完全不同的后端（BEOL）结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105990351A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510088410.0 | 申请日期 | 2015.02.26 |
| 申请人 | 杭州海存信息技术有限公司 | 发明人 | 张国飙 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种分离的三维纵向存储器（3D‑M<sub>V</sub>）(50)，其特征在于包括：一含有至少一3D‑M<sub>V</sub>阵列(16V)的三维阵列芯片(30)，该3D‑MV阵列(16V)含有多个竖直存储串(16X、16Y)，每个竖直存储串含有多个垂直堆叠的存储元(8a‑8h)；一含有至少部分电压产生器的电压产生器芯片(40)，该电压产生器为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(V<sub>DD</sub>)不同的读电压(V<sub>R</sub>)和/或写电压(V<sub>W</sub>)；所述三维阵列芯片(30)不含所述部分电压产生器，所述三维阵列芯片(30)比所述电压产生器芯片(40)含有更多的后端（BEOL）薄膜，所述三维阵列芯片(30)和所述电压产生器芯片(40)为两个不同的芯片。 | ||
| 地址 | 310051 浙江省杭州市（高新区）5288信箱 | ||