一种混沌电路

摘要

本申请公开了超低电压供电的7管MOS混沌电路。本发明简化了基于两个单频率产生模块和一个非线性模块所构造的混沌电路，所述核心电路是3管有源电感电路，利用4管频率产生电路输出一路基础频率信号。与现有技术相比，本发明较大地简化了已知的MOS管实现的混沌电路结构，设计原理充分利用了3管MOS实现有源电感，同时因为找到了反馈线的合适的馈入点，可以节省一个独立的频率产生电路，就能达到逐步化简电路结构为7管的目的，同时保留了分别实现模拟混沌的时域复杂性和连续带宽频谱特性。

主权项

一种混沌电路，其特征在于，包括：频率产生电路和有源电感电路；其中，所述频率产生电路包括：第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、电容以及电阻；所述第一PMOS管的栅极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述电容相连，且接地；所述第一PMOS管的源极与自身的衬底相连，且与电源相连，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的源极与自身的衬底相连，且与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的源极与自身的衬底相连，且接地；所述电阻的一端与所述第一PMOS管的栅极相连，另一端与所述第一PMOS管的漏极相连；所述第三NMOS管的漏极与电源相连，源极与所述第二NMOS管的漏极相连，栅极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极为所述混沌电路的第一信号输出端；所述有源电感电路包括：第二PMOS管、第三PMOS管和第四NMOS管；所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极相连；所述第二PMOS管的源极与自身的衬底相连，且与电源相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连，所述第二PMOS管的漏极为所述混沌电路的第二信号输出端；所述第三PMOS管的源极与自身的衬底相连，所述第三PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连；所述第四NMOS的源极与自身的衬底相连，且接地，所述第四NMOS管的漏极为所述混沌电路的第三信号输出端；其中，所述频率产生电路与所述有源电感电路的电路连接关系为：所述频率产生电路中的所述第三NMOS管的栅极与所述有源电感电路中的所述第二PMOS管的栅极相连；所述频率产生电路中的所述第三NMOS管的衬底与所述有源电感电路中的所述第四NMOS管的漏极相连。