| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及形成第一栅介质层和浮栅层；在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成掩模层，并以该掩模层为掩模，对浮栅层进行构图，然后去除掩模层；以及形成第二栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 | ||
| 申请公布号 | CN103811315B | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201210441230.2 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；去除第二掩蔽层的一部分，所述一部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及形成第一栅介质层和浮栅层；在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成掩模层，并以该掩模层为掩模，对浮栅层进行构图，然后去除掩模层；以及形成第二栅介质层，并在第二掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||