基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路

摘要

本发明涉及一种改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路。在制造基于高电子迁移率晶体管的交换电路和微波集成电路时，去除了影像场分界区或电路切割区中复合外延层材料以减小变形量而改进临界线宽的均匀性，从而达到增强一个高电子迁移率晶体管及其所制成的交换电路和微波集成电路的功能及稳定性。

主权项

一个去除了影像场分界区中复合外延层材料以改进临界线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路，所述电路制造在一个晶圆或基座上，该晶圆或基座上有至少一个X轴向影像场分界区或切割区和至少一个Y轴影像场分界区或切割区，定出至少四个影像场，该影像分界区或切割区介于相邻的影像场之间，并成为影像场边缘；每一个影像场上至少有一个覆盖了复合外延层的复合外延层区，每一个复合外延层区有一个复合外延层区长度，一个复合外延层区宽度，定义四个复合外延层区边缘，该复合外延层至少有一个缓冲层，一个导电通道层、一个肖特基层和一个欧姆接触层，一个源极层，一个漏极层；每个影像场上有至少一个在该复合外延层区形成的高电子迁移率晶体管，该高电子迁移率晶体管具有一个漏极，一个源极和一个由一个第一栅极头部和一个第一栅极根部组成的第一栅极，在该复合外延层区外的基座上有至少一个电阻器，至少一个电容器，至少一个电感器，至少一个信号输入端口，至少一个信号输出端口，其特征在于：该X轴向的影像场的分界区或切割区及Y轴向的影像场的分界区或切割区中的复合外延层材料的一部或全部被去除，以释放其感应到该晶圆或基座上部分的应力或应变，以减小该基座的变形，从而达到便于制造时的光刻步骤，并达成该交换电路及微波集成电路和高电子迁移率晶体管中图像临界线宽的均匀性，其电特性和电路的稳定性及可靠性；所述晶圆或基座的材料由硅，碳化硅，蓝宝石和砷化镓基座或衬底中选出。