一种适用于低频段的宽带高效Doherty功放

摘要

本发明涉及一种适用于低频段的宽带高效Doherty功放，主要包括前级驱动功放和末级功放，前级驱动功放由集总参数拓扑结构Ⅰ、驱动功放、分路电桥和负载组成，末级功放由集总参数拓扑结构Ⅱ、集总参数拓扑结构Ⅲ、载波功放、峰值功放和微带线合路器组成，前级驱动功放工作在AB类偏置，末级功放的载波功放工作在AB类偏置，并且采用对称Doherty结构，峰值功放工作在C类偏置。本发明有益的效果是：本发明结构能有效提高射频功率放大器的效率，同时在前级驱动功放和末级功放的输入端增加集总参数拓扑结构，可以大大增加功放的带宽；改善功放的输入驻波，降低级间匹配的难度，提高生产效率。

主权项

一种适用于低频段的宽带高效Doherty功放，主要包括前级驱动功放和末级功放，其特征是：前级驱动功放由集总参数拓扑结构Ⅰ、驱动功放、分路电桥和负载组成，末级功放由集总参数拓扑结构Ⅱ、集总参数拓扑结构Ⅲ、载波功放、峰值功放和微带线合路器组成，前级驱动功放工作在AB类偏置，末级功放的载波功放工作在AB类偏置，并且采用对称Doherty结构，峰值功放工作在C类偏置；所述集总参数拓扑结构Ⅰ、集总参数拓扑结构Ⅱ和集总参数拓扑结构Ⅲ，均由电容、电感组成的串联结构，集总参数拓扑结构Ⅰ与前级驱动功放的输入端相连，集总参数拓扑结构Ⅱ、集总参数拓扑结构Ⅲ分别与末级的载波功放和峰值功放的输入端相连，集总参数拓扑结构Ⅱ与集总参数拓扑结构Ⅲ串联的电容电感具有相同的特性；所述驱动功放和载波功放通过LDMOS放大管实现，并且偏置在AB类放大状态；所述峰值功放通过LDMOS放大管实现，并且偏置在C类放大状态。