| 发明名称 | 锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。 | ||
| 申请公布号 | CN105951170A | 申请公布日期 | 2016.09.21 |
| 申请号 | CN201610495202.7 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 | 发明人 | 董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人 | 张亦凡 |
| 主权项 | 锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体(1)，炉体(1)侧壁自下而上设置若干个加热电极(2)，沿炉体(1)内侧设置环形的保温材料；沿炉体(1)中轴底部设置支撑系统(3)，支撑系统(3)上架设石英异型管(4)，石英异型管(4)内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管(4)上方覆盖石英棉。 | ||
| 地址 | 650000 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块 | ||