用于生产多晶硅的方法

摘要

本发明提供了用于生产多晶硅的方法，包括a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体，将多晶硅沉积在细丝上，其中，基于氢，含硅组分的摩尔饱和度为至少25%；b)将来自沉积的废气供给到用于冷却废气的装置，i)其中，将由于冷却而冷凝且包含四氯化硅的废气组分引导到能够蒸馏纯化冷凝物的装置中，ii)将冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中；c)获得已通过吸附纯化并包含氢的未冷凝组分的第一流；以及d)在吸附单元的再生期间，借助于解吸和利用吹洗气体吹洗，获得未冷凝组分的第二流，第二流包含四氯化硅并优选被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器。

主权项

一种用于生产多晶硅的方法，包括：a)在沉积反应器中借助于包含含有三氯硅烷的含硅组分和氢的反应气体，将多晶硅沉积在细丝上，其中，基于氢，所述含硅组分的摩尔饱和度为至少25％；b)将来自所述沉积的废气供给到用于冷却所述废气的装置，i)其中，将由于所述冷却而冷凝并且包含四氯化硅的所述废气的组分引导到能够蒸馏纯化所述冷凝物的装置中，以及ii)将在冷却过程中未冷凝的组分引导到吸附或解吸单元中；c)获得已通过吸附而纯化并包含氢的那些未冷凝组分的第一流；以及d)在所述吸附单元的再生期间，借助于解吸和利用吹洗气体吹洗，获得那些未冷凝组分的第二流，所述第二流包含四氯化硅并被供给到用于将四氯化硅转化成三氯硅烷的转化器；其中，以小于0.9K/分钟的速率升高在所述解吸期间的温度。