发明名称 一种含铝聚碳硅烷的合成方法
摘要 一种含铝聚碳硅烷的合成方法,包括以下步骤:(1)将聚碳硅烷置于反应器中,抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,加入有机溶剂溶解,得组分a;(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。按照本发明方法制得的含铝聚碳硅烷氧含量低;采用单官能团的铝源化合物,有利于调控铝含量;残留Si‑H含量较高,无超高分子量部分,有利于纤维制备;工艺简便,适于大规模生产。
申请公布号 CN104327275B 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201410675365.4 申请日期 2014.11.24
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 谢征芳;王军;宋永才;王浩;简科;邵长伟;苟燕子
分类号 C08G77/60(2006.01)I 主分类号 C08G77/60(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 陈亚琴;宁星耀
主权项 一种含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将聚碳硅烷置于反应器中,反应系统内抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,重复≥2次,加入有机溶剂溶解,得组分a;(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;所述无氧单官能团含铝化合物为二甲基氯化铝或甲基乙基溴化铝;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。
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