发明名称 |
一种含铝聚碳硅烷的合成方法 |
摘要 |
一种含铝聚碳硅烷的合成方法,包括以下步骤:(1)将聚碳硅烷置于反应器中,抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,加入有机溶剂溶解,得组分a;(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。按照本发明方法制得的含铝聚碳硅烷氧含量低;采用单官能团的铝源化合物,有利于调控铝含量;残留Si‑H含量较高,无超高分子量部分,有利于纤维制备;工艺简便,适于大规模生产。 |
申请公布号 |
CN104327275B |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
CN201410675365.4 |
申请日期 |
2014.11.24 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
谢征芳;王军;宋永才;王浩;简科;邵长伟;苟燕子 |
分类号 |
C08G77/60(2006.01)I |
主分类号 |
C08G77/60(2006.01)I |
代理机构 |
长沙星耀专利事务所 43205 |
代理人 |
陈亚琴;宁星耀 |
主权项 |
一种含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将聚碳硅烷置于反应器中,反应系统内抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,重复≥2次,加入有机溶剂溶解,得组分a;(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;所述无氧单官能团含铝化合物为二甲基氯化铝或甲基乙基溴化铝;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号国防科技大学 |