| 发明名称 | 用于FinFET设计的LVS实现 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于FinFET设计的LVS实现，其中，一种方法包括将集成电路的布局中的有源区域转换成具有鳍的基于鳍的结构。有源区域属于集成电路器件并且具有平面布局结构。该方法进一步包括使用基于鳍的结构的参数来提取集成电路器件的电阻‑电容(RC)负载。转换和提取步骤由计算机执行。 | ||
| 申请公布号 | CN103310030B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201210202399.2 | 申请日期 | 2012.06.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王又君;刘凯明 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路的设计方法，包括：将集成电路的布局中的有源区域转换成包含鳍的基于鳍的结构，其中，所述有源区域属于集成电路器件，并且所述有源区域具有平面布局结构；以及使用所述基于鳍的结构的参数来提取所述集成电路器件的电阻‑电容(RC)负载，其中，转换和提取的步骤由计算机执行；其中，使用所述集成电路器件的所述电阻‑电容负载来执行后仿真；以及将从所述后仿真获得的结果与设计规范进行比较。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||