| 发明名称 | 制造半导体基片的装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种制造半导体基片的装置。本实用新型的装置包括密封腔体和设置在所述密封腔体内部的第一加热部、热喷涂枪和承载部，所述热喷涂枪的出口端设置在所述第一加热部的出口端下方，并且所述热喷涂枪与所述承载部能够相对移动；所述承载部具有基板和用于对所述基板进行加热的第二加热部，所述基板设置在所述热喷涂枪的下方。本实用新型的装置在制造半导体基片时材料利用率高、制造成本低；此外，制造的半导体基片尺寸大、厚度可控、纯度高，应用前景广泛。 | ||
| 申请公布号 | CN205576257U | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201620213362.3 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 李光武 | 发明人 | 李光武 |
| 分类号 | C23C4/12(2016.01)I;C23C4/123(2016.01)I;C23C4/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C4/12(2016.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 陶敏;黄健 |
| 主权项 | 一种制造半导体基片的装置，其特征在于，包括密封腔体和设置在所述密封腔体内部的第一加热部、热喷涂枪和承载部，所述热喷涂枪的出口端设置在所述第一加热部的出口端下方，并且所述热喷涂枪与所述承载部能够相对移动；所述承载部具有基板和用于对所述基板进行加热的第二加热部，所述基板设置在所述热喷涂枪的下方。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区东四环北路6号阳光上东5号楼2单元1101室 | ||