| 发明名称 | 半导体器件的失效分析方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。 | ||
| 申请公布号 | CN102565680B | 申请公布日期 | 2016.09.14 |
| 申请号 | CN201010605339.6 | 申请日期 | 2010.12.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 韦俊;董红 |
| 分类号 | G01R31/307(2006.01)I;G01R31/308(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/307(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种塑料封装形式的半导体器件的失效分析方法，其特征在于：其包括步骤：S101：使用70％的硝酸溶液去除半导体器件背面的铜层；S103：在除去铜层后的半导体器件背面形成U形窗口，在该窗口中采用全自动样品制备(Automated Sample Prep)设备对半导体器件背面的硅层进行减薄；及S105：使用微光显微镜(Emission Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||