发明名称 |
单晶硅制造装置的氩气回收精制方法及氩气回收精制装置 |
摘要 |
本发明是一种氩气回收精制方法及氩气回收精制装置,该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、用去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序,在通过将催化剂配置于双级压缩机内,仅用压缩热进行所述催化反应来得到所述回收气体的工序中,在预先用干燥机去除所述水后,用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。由此提供一种使用简单且低成本的设备,就能够稳定去除从单晶硅制造装置排出的大风量氩气中所含的杂质气体的氩气回收精制方法。 |
申请公布号 |
CN105939961A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201580006723.5 |
申请日期 |
2015.01.14 |
申请人 |
信越半导体株式会社 |
发明人 |
松岛秀明;小野泽一郎;矢岛涉 |
分类号 |
C01B23/00(2006.01)I;B01D53/04(2006.01)I;B01D53/28(2006.01)I |
主分类号 |
C01B23/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
谢顺星;张晶 |
主权项 |
一种氩气回收精制方法,该方法具有从单晶硅制造装置向废氩气贮槽导入含有氮气、氧气及一氧化碳的废氩气的工序、通过去除所述废氩气中的固形物的预处理设备来去除所述固形物的工序、通过催化反应分别将所述氧气转化为水、将所述一氧化碳转化为二氧化碳的工序、以及去除所述水、所述二氧化碳及所述氮气得到回收气体的工序,其特征在于,在通过将催化剂配置于双级压缩机内,仅用压缩热进行所述催化反应,从而得到所述回收气体的工序中,预先用干燥机去除所述水,然后用常温吸附塔吸附去除所述氮气、所述二氧化碳。 |
地址 |
日本东京都 |