发明名称 |
一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片及制作方法,所述硅片的上表面具有内陷的围绕所述硅片的中心底平面向外侧依次上升设置的若干层回转封闭式台阶,各层所述台阶具有竖直侧墙及水平台面,该硅片可通过建立按从所述硅片的中心向外侧逐次扩大曝光区域来依次进行曝光的若干次曝光、显影的对应扫描程式来制作,将此硅片进行光刻胶涂布后,可以实现在一片测试硅片上采集多个具有不同厚度的光刻胶膜厚数据,只需数个硅片就可以完成建立光刻胶厚度摆动曲线所需的全部测试数据的采集。 |
申请公布号 |
CN104009021B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201410260816.8 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
闵金华;戴韫青;王剑 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:提供一块空掩膜版和一片具有平面上表面的硅片;步骤二:建立按从所述硅片的中心向外侧逐次扩大曝光区域来依次进行曝光的若干曝光程式;步骤三:根据建立的曝光程式,首先采用具有最小曝光区域的曝光程式对涂好光刻胶的硅片的中心区域进行曝光,并进行显影、刻蚀及去胶;步骤四:然后,分别采用建立的其他曝光程式,对步骤三得到的所述硅片进行涂胶,然后从中心向外侧方向逐次扩大曝光区域进行曝光,并在每次曝光后进行显影、刻蚀及去胶;步骤五:完成曝光、显影、刻蚀程式设定的工艺次数,得到上表面具有内陷的围绕所述硅片的中心底平面向外侧依次上升的若干层回转封闭式台阶的用于光刻胶厚度摆动曲线测试的硅片,各层所述台阶具有竖直侧墙及水平台面。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |