一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法

摘要

本发明公开了一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法，包括以下步骤：(1)先在SiO₂/Si基底上蒸镀CdS，然后在CdS薄膜上蒸镀ZnS；（2）在铜箔上生长出石墨烯，在生长有石墨烯的铜片表面旋涂PMMA，旋涂完之后烘烤，然后放入FeCl₃溶液中刻蚀，在铜箔刻蚀完之后，将PMMA/石墨烯薄膜分别放置于稀盐酸和水中清洗其表面残留的FeCl₃刻蚀液，再用镀有CdS/ZnS薄膜的SiO₂/Si基片捞起PMMA/石墨烯薄膜，待其晾干，用低压真空退火的方法除去PMMA；（3）在SiO₂/Si基底上获得石墨烯/ZnS/CdS异质结薄膜后，通过掩模板，利用电子束蒸度法沉积10 nm Cr/100 nm Au来制作器件的电极。本发明使用不同带隙半导体复合，可以通过响应时间这一特征参数来分辨紫外光和可见光。且工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值。

主权项

一种可以识别探测波长的智能薄膜光探测器的构筑方法，其特征在于，包括以下步骤：(1) ZnS/CdS薄膜的制备：先在SiO₂/Si基底上利用电子束蒸发法蒸镀20‑40 nm厚度的CdS，然后在CdS薄膜上蒸镀30‑120 nm厚度的ZnS；(2) 石墨烯生长和转移：通过CVD方法在铜箔上生长出石墨烯，在生长有石墨烯的铜片表面旋涂浓度为80‑110 mg/ml的PMMA，旋涂完之后放置在加热台用160‑180℃烘烤4‑6min，然后放入浓度为1.0‑2.0 mol/L的FeCl₃溶液中刻蚀，在铜箔刻蚀完之后，将PMMA/石墨烯薄膜分别放置于稀盐酸和水中清洗其表面残留的FeCl₃刻蚀液，再用镀有CdS/ZnS薄膜的SiO₂/Si基片捞起PMMA/石墨烯薄膜，待其晾干，用低压真空退火的方法除去PMMA；（3）光探测器的构筑：在SiO₂/Si基底上获得石墨烯/ZnS/CdS异质结薄膜后，通过掩模板，利用电子束蒸度法沉积10 nm Cr/100 nm Au来制作器件的电极。