发明名称 |
场发射电子源阵列及场发射装置 |
摘要 |
本发明提供一种场发射电子源阵列,包括多个场发射电子源并排设置,其中,每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环同轴设置,所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面,所述至少一导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面,所述多个场发射电子源的所述导电环彼此电连接。 |
申请公布号 |
CN103730303B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201210381735.4 |
申请日期 |
2012.10.10 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
郭彩林;唐洁;柳鹏;范守善 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种场发射电子源阵列,包括多个场发射电子源并排设置,其特征在于,每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及两导电环同轴设置,所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面,所述两导电环相互间隔且分别设置于所述碳纳米管线状结构两端部的绝缘层外表面,相邻的场发射电子源中位于所述碳纳米管线状结构相同一端的所述导电环彼此电连接且接触设置。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |