发明名称 半导体器件和用于制造半导体器件的方法
摘要 提出一种用于制造半导体器件(100)的方法,其中提供载体(1),所述载体具有第一绝缘层(12)、由第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41),其中载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且联接元件穿过第一绝缘层延伸至安装面。此外提供主体(2),所述主体具有半导体本体(20)、第二绝缘层(22)和用于电接触半导体本体的接触元件(42),其中主体具有露出的、平坦的接触面(21)并且接触元件穿过第二绝缘层延伸至接触面。主体与载体连接,其中平坦的接触面与平坦的安装面汇聚以形成连接面(3)并且接触元件和联接元件彼此电连接。此外提出一种这样的半导体器件,其中镜层构成为是平的,在俯视图中侧向突出于主体,并且连接面(3)不具有连接材料。
申请公布号 CN105934834A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201580005757.2 申请日期 2015.01.16
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 西格弗里德·赫尔曼;斯特凡·伊莱克;弗兰克·辛格
分类号 H01L33/60(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I 主分类号 H01L33/60(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 丁永凡;张春水
主权项 一种用于制造半导体器件(100)的方法,所述方法具有下列步骤:‑A)提供载体(1),所述载体具有第一绝缘层(12)、由所述第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41),其中所述载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且所述联接元件穿过所述第一绝缘层延伸至安装面,‑B)提供主体(2),所述主体具有半导体本体(20)、第二绝缘层(22)和用于电接触所述半导体本体的接触元件(42),其中所述主体具有露出的、平坦的接触面(21)并且所述接触元件穿过所述第二绝缘层延伸至接触面,以及‑C)连接所述主体与所述载体,其中所述平坦的接触面和所述平坦的安装面汇聚以形成连接面(3),并且所述接触元件和所述联接元件彼此电连接。
地址 德国雷根斯堡