| 发明名称 | 隧道晶体管 | ||
| 摘要 | 一种晶体管，包括源极；漏极；栅极区，所述栅极区包括栅极、岛以及栅极氧化物，其中栅极氧化物位于栅极和岛之间；并且栅极和岛相互作用地彼此耦合；以及源极阻挡层和漏极阻挡层，其中源极阻挡层将源极与栅极区分开并且漏极阻挡层将漏极与栅极分开。 | ||
| 申请公布号 | CN102610645B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201110444279.9 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | I·金;田伟;V·维斯亚纳詹;C·贝多亚;M·希格特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：源极；漏极；栅极区，所述栅极区包括：栅极；岛；以及栅极氧化物，所述栅极氧化物位于栅极和岛之间；而所述栅极和岛可相互作用地彼此耦合；以及源极阻挡层和漏极阻挡层，所述源极阻挡层将所述源极与所述栅极区隔开而所述漏极阻挡层将所述漏极与所述栅极区隔开，并且所述源极阻挡层和漏极阻挡层在接近所述岛的地方比接近所述栅极的地方更薄。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||