| 发明名称 | 多层存储阵列 | ||
| 摘要 | 一种多层交叉存储阵列包括多个层（514）。每个层（514）包括一组平行的顶部线，与一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及被布置在一组平行的顶部线和一组平行的底部线之间的交叉位置的存储元件（200、216）。来自层（514）之一的一组平行的顶部线是层（514）中相邻层的一组平行的底部线。 | ||
| 申请公布号 | CN103098211B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201080068814.9 | 申请日期 | 2010.08.30 |
| 申请人 | 慧与发展有限责任合伙企业 | 发明人 | 贾尼斯·H·尼克尔;吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗;杨建华 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;宋志强 |
| 主权项 | 一种多层存储阵列(500)，包括：多个层(514)，每个层包括：一组平行的顶部线，与所述一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及存储元件(200、216)，设置在所述一组平行的顶部线和所述一组平行的底部线组之间的交叉位置；其中，来自所述层(514)之一的一组平行的顶部线也是所述层(514)中相邻层的一组平行的底部线，其中所述存储元件(200、216)是包括忆阻基体(214)的忆阻存储元件，所述忆阻基体(214)包括半导体性区域(204)和与所述半导体性区域(204)形成界面的高掺杂区域(206)，其中所述高掺杂区域(206)是导电的并且用作能移动到所述半导体性区域(204)中的掺杂物的源。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||