| 发明名称 | 开口的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在半导体衬底上形成金属导电层；在金属导电层上形成介电层后，在介电层内形成开口，所述开口暴露出金属导电层表面，所述金属导电层表面具有反应残留物，开口侧壁具有缺陷；采用第一气体去除开口底部金属导电层上的反应残留物；采用第二气体修复开口侧壁缺陷；在第一气体和第二气体处理后，采用第三气体去除金属导电层表面的聚合物。采用本发明的开口的形成的方法，提高集成电路的电学性能、稳定性和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103377913B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201210114819.1 | 申请日期 | 2012.04.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;胡敏达;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种开口的形成方法，其特征在于，包括，提供半导体衬底；在半导体衬底上形成金属导电层；在金属导电层上形成介电层后，在介电层内形成开口，所述开口暴露出金属导电层表面，所述金属导电层表面具有反应残留物，开口侧壁具有缺陷，其中，所述反应残留物是在所述开口形成过程中，由光刻胶中的碳与刻蚀气体和刻蚀生成物结合在一起形成；采用第一气体去除开口底部金属导电层上的反应残留物，生成不影响集成电路性能的易挥发产物；采用第二气体修复开口侧壁缺陷；在第一气体和第二气体处理后，采用第三气体去除金属导电层表面的聚合物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||