真空处理装置以及真空处理方法

摘要

提供一种真空处理装置以及真空处理方法，能够在进行等离子处理时强力吸附保持绝缘性基板。真空处理装置（1）具有：接地的真空槽（11），与真空槽（11）相连的真空排气装置（19），配置在真空槽（11）内部的吸附装置（40），对设在吸附装置（40）上的单极（3）外加输出电压的吸附用电源（16），向真空槽（11）内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置（21），以及使等离子生成气体为等离子的等离子生成部（20），将处理对象物（6）配置在吸附装置（40）上，当通过吸附用电源（16）对单极（3）外加输出电圧时，在真空槽内（11）内生成等离子，并且当将处理对象物（6）吸附在吸附装置上时，通过等离子进行处理，其中，处理对象物（6）使用绝缘性基板，吸附用电源（16）向单极（3）输出正电圧和负电圧周期地变化的输出电圧。

主权项

一种真空处理装置，具有：与接地电位相连的真空槽，与上述真空槽相连的真空排气装置，配置在上述真空槽内部并配置绝缘性的处理对象物的吸附装置，设在上述吸附装置上的单极，与上述单极电连接的吸附用电源，向上述真空槽内导入等离子生成气体的等离子生成气体导入装置，以及使上述等离子生成气体为等离子的等离子生成部，在上述吸附装置的表面上形成有沟槽，在上述沟槽上连接有向上述沟槽供给导热性气体的导热性气体供给装置，将上述处理对象物配置在上述吸附装置上，当通过上述吸附用电源对上述单极外加吸附电压时，在上述真空槽内生成上述等离子，使上述等离子接触上述处理对象物，并且当将上述处理对象物吸附在上述吸附装置上时，向上述沟槽导入上述导热性气体，通过上述等离子对上述处理对象物进行处理，其特征在于，上述等离子生成部与上述单极分离地配置，上述处理对象物使用绝缘性基板，在上述单极上，从上述吸附用电源外加在正电压和负电压之间周期地变化的上述吸附电压，在单个吸附电压周期中，上述正电压的外加时间为1秒以上且不到10秒，上述负电压的外加时间为上述正电压的外加时间以上，上述处理对象物被吸附60秒以上。