发明名称 |
一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法,接通电源VI,电压加载到耦合电感的主线圈L<sub>PRI</sub>中,能量储存直到功率开关Q1关闭;从耦合电感的副线圈L<sub>SEC</sub>,通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上;将输出电压VO经过处理,与误差放大器中的参考电压V<sub>ref</sub>进行比较,之后误差放大器输出相对应的输入电压V<sub>E</sub>到非隔离电源控制芯片;非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压V<sub>E</sub>对占空比进行相应的调整,从而控制耦合电感主线圈L<sub>PRI</sub>中能量的存储,完成对输出电压VO的控制,大大增加了隔离电源设计的芯片选型范围。 |
申请公布号 |
CN105915062A |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201610307765.9 |
申请日期 |
2016.05.11 |
申请人 |
福建星网智慧科技股份有限公司 |
发明人 |
高计丰;蔡鸿东 |
分类号 |
H02M3/335(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/335(2006.01)I |
代理机构 |
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 |
代理人 |
宋连梅 |
主权项 |
一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法,其特征在于:所述方法包括:耦合电感、开关Q1、二极管CR1、电容C以及电阻R;包括如下步骤:步骤1、接通电源VI,电压加载到耦合电感的主线圈L<sub>PRI</sub>中,能量储存直到功率开关Q1关闭;步骤2、从耦合电感的副线圈L<sub>SEC</sub>,通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上;步骤3、将输出电压VO经过处理,与误差放大器中的参考电压V<sub>ref</sub>进行比较,之后误差放大器输出相对应的输入电压V<sub>E</sub>到非隔离电源控制芯片;步骤4、非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压V<sub>E</sub>对占空比进行相应的调整,从而控制耦合电感主线圈L<sub>PRI</sub>中能量的存储,完成对输出电压VO的控制。 |
地址 |
361000 福建省厦门市思明区软件园二期观日路56号1001单元 |