发明名称 一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法
摘要 本发明提供一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法,接通电源VI,电压加载到耦合电感的主线圈L<sub>PRI</sub>中,能量储存直到功率开关Q1关闭;从耦合电感的副线圈L<sub>SEC</sub>,通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上;将输出电压VO经过处理,与误差放大器中的参考电压V<sub>ref</sub>进行比较,之后误差放大器输出相对应的输入电压V<sub>E</sub>到非隔离电源控制芯片;非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压V<sub>E</sub>对占空比进行相应的调整,从而控制耦合电感主线圈L<sub>PRI</sub>中能量的存储,完成对输出电压VO的控制,大大增加了隔离电源设计的芯片选型范围。
申请公布号 CN105915062A 申请公布日期 2016.08.31
申请号 CN201610307765.9 申请日期 2016.05.11
申请人 福建星网智慧科技股份有限公司 发明人 高计丰;蔡鸿东
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人 宋连梅
主权项 一种基于非隔离电源芯片的隔离电源的控制方法,其特征在于:所述方法包括:耦合电感、开关Q1、二极管CR1、电容C以及电阻R;包括如下步骤:步骤1、接通电源VI,电压加载到耦合电感的主线圈L<sub>PRI</sub>中,能量储存直到功率开关Q1关闭;步骤2、从耦合电感的副线圈L<sub>SEC</sub>,通过输出二极管CR1将电压传送到输出电容C和负载电阻R上;步骤3、将输出电压VO经过处理,与误差放大器中的参考电压V<sub>ref</sub>进行比较,之后误差放大器输出相对应的输入电压V<sub>E</sub>到非隔离电源控制芯片;步骤4、非隔离电源控制芯片通过误差放大器输出电压V<sub>E</sub>对占空比进行相应的调整,从而控制耦合电感主线圈L<sub>PRI</sub>中能量的存储,完成对输出电压VO的控制。
地址 361000 福建省厦门市思明区软件园二期观日路56号1001单元
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