砷化镓摄像芯片

摘要

本实用新型具体涉及摄像芯片。砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体，摄像芯片主体包括基底，基底是由砷化镓制成的基底，基底的厚度为250μm～300μm；摄像芯片主体是CMOS芯片或者CCD芯片；摄像芯片主体还包括一外包层，外包层位于基底的外围，外包层内嵌有一温度传感芯片，温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片。本实用新型通过优化传统的摄像芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了摄像芯片的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过控制基底的厚度，在节约成本的同时，保证摄像芯片主体的电性能。本实用新型通过在摄像芯片主体的外包层上设有一温度传感芯片，便于实现控温。

主权项

砷化镓摄像芯片，包括摄像芯片主体，所述摄像芯片主体包括基底，其特征在于，所述基底是由砷化镓制成的基底，所述基底的厚度为250μm～300μm；所述摄像芯片主体是CMOS芯片或者CCD芯片；所述摄像芯片主体还包括一外包层，所述外包层位于所述基底的外围，所述外包层内嵌有一温度传感芯片，所述温度传感芯片的信号输出端连接一无线通讯芯片，所述无线通讯芯片也位于外包层内；所述温度传感芯片设有一感应面，所述感应面朝向所述基底，所述感应面与所述外包层的外壁的距离不大于2mm。