反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法

摘要

本发明提供一种反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法，其包括以下步骤：S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氧气的流量远大于氟化物气体的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体；S2，经过预定的工艺时间之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氟化物气体的流量远大于氧气的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体。本发明提供的反应腔室的清洗方法不仅可以保持清洗工艺前后的两次基片刻蚀工艺的刻蚀选择比不变，而且还可以减少反应腔室中污染颗粒的数量，从而可以提高工艺质量。

主权项

一种反应腔室的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氧气的流量远大于所述不含碳的氟化物气体的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体；S2，经过预定的工艺时间之后，向反应腔室内输入由不含碳的氟化物气体和氧气混合的清洗气体，且所述氟化物气体的流量远大于氧气的流量；向所述反应腔室施加激励功率，以使所述清洗气体形成等离子体。