堆叠半导体存储器件、存储器系统及修复硅通孔缺陷的方法

摘要

根据本发明构思的一种堆叠半导体存储器件可以包括：多个存储器芯片，堆叠在处理器芯片之上；多个TSV；以及I/O缓冲器。TSV可以穿过存储器芯片并且连接到处理器芯片。I/O缓冲器可以耦接在全部或部分存储器芯片与TSV之间，并且可以基于TSV的缺陷状态选择性地激活。

主权项

一种堆叠半导体存储器件，包括：多个堆叠的存储器芯片；多个穿过存储器芯片的硅通孔(TSV)；以及多个I/O缓冲器，每个I/O缓冲器耦接在至少一个存储器芯片与至少一个TSV之间，I/O缓冲器被配置为基于TSV的缺陷状态而选择性地激活，其中I/O缓冲器被配置为使得，当至少一个TSV包含缺陷点时，包含在位于所述缺陷点下方的存储器芯片中的I/O缓冲器被激活，其中I/O缓冲器被配置为使得，当至少一个TSV包含缺陷点时，包含在位于所述缺陷点上方的存储器芯片中的I/O缓冲器不被激活。