发明名称 |
一种半导体芯片 |
摘要 |
本实用新型属于一种芯片领域,是针对现有的半导体芯片制冷和发电效率低而提供的一种半导体芯片,包括PN极单元层,PN极单元层包括P极和N极,P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元,在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板,该基板由绝缘层和导热材料复合而成,绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜,基板的绝缘层朝向PN极单元层安装,导热材料采用金属材质制成。金属导热层优选铝制材质或铜质材质。本实用新型结构简单,巧妙的将金属导热层与PN极层之间设置搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜进行绝缘,实现将导热层采用金属导热材料,从而大大提高了产品的制冷和发电效率,实用性强。 |
申请公布号 |
CN205542750U |
申请公布日期 |
2016.08.31 |
申请号 |
CN201620358491.1 |
申请日期 |
2016.04.23 |
申请人 |
浙江聚珖科技股份有限公司 |
发明人 |
诸建平;覃瑞昌 |
分类号 |
H01L23/373(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 |
温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 |
代理人 |
程春生 |
主权项 |
一种半导体芯片,包括PN极单元层,PN极单元层包括P极和N极,P极和N极通过连接导体连接形成一个子单元,其特征在于:在PN极单元层的上下端的至少一端安装有基板,该基板由绝缘层和导热材料复合而成,绝缘层为搪瓷材料或铝瓷质阳极氧化膜,基板的绝缘层朝向PN极单元层安装。 |
地址 |
325000 浙江省温州市经济技术开发区滨海一道1759号 |