用于处理基板的装置

摘要

本发明提供了一种使用等离子体的基板处理装置。该基板处理装置包括其内具有处理空间的室、设置在该室中以支撑该基板的支撑构件、将气体供应到该室中的气体供应单元、以及设置在该室上部的等离子体源，该等离子体源包括从供应到该室中的气体产生等离子体的天线，其中，该室包括具有开口的顶面的壳体，该壳体内具有处理空间，以及覆盖该壳体的开口的顶面的电介质组件，并且其中该电介质组件包括电介质窗口和具有比电介质窗口的强度更大的强度的加强膜。

主权项

一种基板处理装置，包括：其内具有处理空间的室；设置在所述室中用以支撑所述基板的支撑构件，所述支撑构件包括通过使用静电力来吸附基板的静电卡盘，并且所述静电卡盘包括沿电介质板的圆周进行设置的聚焦环；将气体供应到所述室中的气体供应单元；以及设置在所述室上部的等离子体源，所述等离子体源包括从供应到所述室中的所述气体产生等离子体的天线；其中，所述室包括：具有开口的顶面的壳体，所述壳体内具有处理空间；以及覆盖了所述壳体的开口的顶面的电介质材料组件，并且其中所述电介质材料组件包括电介质材料窗口和具有比所述电介质材料窗口的强度更大的强度的加强膜。