发明名称 薄膜沉积制备装置和方法
摘要 薄膜沉积制备装置和方法,涉及薄膜制备领域。本发明的制备方法包括下述步骤:1)金属衬底加热,2)沉积;其特征在于,所述步骤1)为:采用电极使电流从生长区一端的金属衬底导入,从生长区另一端的金属衬底导出,利用金属衬底自身的电阻发热实现加热。本发明可以提高所制备薄膜的质量,同时降低薄膜的制备成本。另外,采用该加热方法也能很容易地在金属衬底两面同时实现一致性双面薄膜的制备,对于提高金属衬底的使用效率,降低成本,提高性能具有重要作用。
申请公布号 CN104046963B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410250562.1 申请日期 2014.06.08
申请人 电子科技大学 发明人 陶伯万;熊杰;张飞;黎朝仁;赵晓辉;李言荣
分类号 C23C16/46(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I 主分类号 C23C16/46(2006.01)I
代理机构 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人 刘勋
主权项 薄膜沉积制备装置,包括生长室、两个衬底卷绕盘转轴和衬底加热装置,其特征在于,所述衬底加热装置包括通过安装机构并列设置于生长室内的第一电极组和第二电极组;两个电极组位于两个衬底卷绕盘转轴之间,并且在第一电极组和第二电极组之间留有薄膜生长区;第一电极组包括电源接口和至少两个衬底接触电极块,衬底接触电极块分布于衬底通道的两侧,第一电极组的各个衬底接触电极块相互为电连接,并且与电源接口形成电连接;第二电极组包括电源接口和至少两个衬底接触电极块,衬底接触电极块分布于衬底通道的两侧,第二电极组的各个衬底接触电极块相互为电连接,并且与电源接口形成电连接。
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号