发明名称 一种门控电源电路及门控电源的产生方法
摘要 本发明涉及一种门控电源电路及门控电源的产生方法,门控电源电路包括反相器I1、PMOS晶体管P0、NMOS晶体管N1、控制开关及弱电流源,其中的控制开关连接在PMOS晶体管P0的栅端和漏端之间。在门控电源由VDD转换VDD‑|Vtp|的过程中,控制PMOS晶体管P0的栅端和漏端之间的短接,实现栅端电荷与漏端电荷之间的电荷分享;加速了门控电源由VDD转换为VDD‑|Vtp|的速度,即优化了建立时间。
申请公布号 CN105897230A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610339526.1 申请日期 2016.05.20
申请人 西安紫光国芯半导体有限公司 发明人 熊保玉;拜福君;梁星
分类号 H03K17/042(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/042(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 杨亚婷
主权项 一种门控电源电路,包括反相器I1、PMOS晶体管P0、NMOS晶体管N1、控制开关及弱电流源,其特征在于:所述反相器I1的输入端输入门控PG,用于将输入信号反向,同时提升带负载能力;所述控制开关连接在PMOS晶体管P0的栅端和漏端之间,根据开关控制信号的逻辑控制PMOS晶体管P0的栅端和漏端之间的短接,实现栅端电荷与漏端电荷之间的电荷分享;所述NMOS晶体管N1的栅端与反相器I1的输出端连接,所述NMOS晶体管N1的源端接VSS;所述NMOS晶体管N1的漏端与PMOS晶体管P0的栅端连接,用于PMOS晶体管P0的导通;所述PMOS晶体管P0在控制开关及NMOS晶体管N1的作用下输出VDD‑|Vtp|或VDD;当控制开关导通时,所述弱电流源作为电流偏置,将输出电压钳制在VDD‑|Vtp|。
地址 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
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