用于相变存储器阵列的方法

摘要

本发明描述操作相变存储器阵列的方法。一种方法包含：确定待写入到相变存储器阵列的模式；及根据所述模式对所述相变存储器阵列执行两个或两个以上适当复位序列，以将所述模式写入到所述相变存储器阵列。另一种方法包含：对相变存储器阵列执行置位序列；及对所述相变存储器阵列执行适当读取以获得从执行所述置位序列导出的模式。

主权项

一种操作相变存储器阵列的方法，所述方法包括：区分复位以针对不同置位状态定义开始条件，其中所述开始条件导致所述不同置位状态和不同数据读取，所述复位包括用硬脉冲或软脉冲来隐藏信息，所述硬脉冲具有第一振幅，且所述软脉冲具有不同于所述第一振幅的第二振幅；确定待写入到所述相变存储器阵列的模式，所述模式包括含有敏感信息的真实信息位以及具有状态且具有非必然起作用的读取操作及编程操作的假位；及将所述模式写入到所述相变存储器阵列。