发明名称 等离子体离子源以及带电粒子束装置
摘要 本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的冷却性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源具备气体导入室、等离子体生成室、线圈、外壳和绝缘性液体。气体导入室导入原料气体。由电介质材料形成的等离子体生成室连接于气体导入室。线圈沿着等离子体生成室的外周卷绕,并且,被施加高频功率。外壳包围气体导入室、等离子体生成室和线圈。绝缘性液体被填充在气体导入室和等离子体生成室与外壳之间来浸渍线圈。绝缘性液体具有与外壳的绝缘耐压相比相对大的绝缘耐压和与等离子体生成室相同程度的介质损耗角正切。
申请公布号 CN105895477A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610078272.2 申请日期 2016.02.04
申请人 株式会社日立高新技术 发明人 大庭弘;杉山安彦;冈部卫
分类号 H01J27/26(2006.01)I 主分类号 H01J27/26(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 秦琳;陈岚
主权项 一种等离子体离子源,其特征在于,具备:气体导入室,导入原料气体;等离子体生成室,连接于所述气体导入室,由电介质材料形成;线圈,沿着所述等离子体生成室的外周卷绕,被施加高频功率;外壳,包围所述气体导入室、所述等离子体生成室和所述线圈;以及绝缘性液体,填充在所述气体导入室和所述等离子体生成室与所述外壳之间,由此,浸渍所述线圈,并且,具有与所述外壳的绝缘耐压相比相对大的绝缘耐压和与所述等离子体生成室相同程度的介质损耗角正切。
地址 日本东京都