| 发明名称 | 一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙。本发明提供的方法能够很好地调控ZnO纳米柱阵列的密度和光学带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN105883900A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201510037532.7 | 申请日期 | 2015.01.26 |
| 申请人 | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 | 发明人 | 汤洋;赵颖;陈颉 |
| 分类号 | C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 李婉婉;金迪 |
| 主权项 | 一种操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙的方法，该方法包括：在水热合成条件下，将含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液与生长基底进行接触，以在所述生长基底上生成氧化锌纳米柱阵列，其中，通过控制所述含有锌源、氧源以及铵盐和/或铟盐的溶液中的铵盐浓度和/或铟盐浓度来操控氧化锌纳米柱阵列的密度和光学带隙。 | ||
| 地址 | 100011 北京市东城区安外西滨河路22号神华大厦 | ||