MOSFET封装结构

摘要

本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，包括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯片上表面的第一导电体和第二导电体，漏极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层连接芯片上表面的第三导电体，作为漏极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。

主权项

一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括一芯片(100)，该芯片具有靠近其上表面的源极(101)、栅极(102)和漏极区(A)，所述栅极与所述源极、所述漏极区之间绝缘隔离，该芯片具有靠近其下表面的重掺杂区(103)；所述漏极区内形成有至少一个孔或槽(201)，所述孔或槽的底部自芯片上表面向下表面延伸至所述重掺杂区，所述孔或槽内铺设有金属层(501)，所述金属层与所述芯片之间形成欧姆接触，所述源极的电性引出至所述芯片上表面形成的第一导电体(601)，所述栅极的电性引出至所述芯片上表面形成的第二导电体(602)，所述孔或槽内金属层的电性引出至所述芯片上表面形成的第三导电体(603)。