| 发明名称 | 一种刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种刻蚀方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一掩膜；以侧墙掩膜和额外掩膜为掩蔽，进行待刻蚀层的刻蚀。本发明实现不同尺寸结构的图案转移。 | ||
| 申请公布号 | CN105870018A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201510033046.8 | 申请日期 | 2015.01.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王红丽;陈邦明;唐波;闫江;徐烨锋;许静 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;韩晓莉 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一掩膜；覆盖第二掩膜材料，并在其上形成第三掩膜；刻蚀第二掩膜材料，以在第一掩膜的侧壁上形成侧墙掩膜，以及在第三掩膜下形成额外掩膜；去除第三掩膜以及暴露的第一掩膜；以侧墙掩膜和额外掩膜为掩蔽，进行待刻蚀层的刻蚀。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||