| 发明名称 | 高效发光二极管 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种高效发光二极管。所述发光二极管包括：半导体堆叠，位于支撑基底上方；反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间。此外，n型化合物半导体层包括n型接触层，n型接触层具有5×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>至7×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103283045B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201180063314.0 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 尹俊皓;南基范;李俊熙;金彰渊;柳泓在;洪性勋 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;韩素云 |
| 主权项 | 一种发光二极管，所述发光二极管包括：支撑基底；半导体堆叠，位于支撑基底上方，并且包括p型化合物半导体层、活性层和n型化合物半导体层；反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；以及上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间，其中，n型化合物半导体层包括n型接触层，n型接触层具有5×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>至7×10<sup>18</sup>/cm<sup>3</sup>的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||